光敏晶体管的基本结构光敏晶体管多采用N型硅单晶NPN结构
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光敏晶体管的基本结构光敏晶体管多采用N型硅单晶NPN结构，并且在工艺上将 基区面积制作的较大，发射区面积较小.这种特殊结构，能使人射光多数被基区吸收。当光 敏晶体管集电极施加正电压、基区开路时，即集电极工作于反向偏置状态，光照射到基区就 会激发出光生电子空穴对，光生电子被拉到集电区，而空穴则滞留在基区靠近发射结的一边， 使发射结的电压升高，形成输出电流，并且集电区输出电流为光生电流的p倍。这样，光敏 晶体管就完成了光电转换。
光敏晶体管可以制成多种类型的光敏传感器，其输出电路简单，输出电流较大，尤其在 低频光敏传感器电路中广泛应用.
光敏晶体管有一个最佳灵敏度峰值波长。当入射光的波长偏离峰值波长时，光敏晶体管的灵敏度将显著减小。这是因为当人射光的波长较短时，光子在半导体表面就被吸收掉，并且光子 在半导体表面激发出的电子空穴对也不能到达PN结，所以相对灵敏度就较低，而当人射光的 波长较长时，由于光子的能量较小，不足以激发出电子空穴对，所以相对灵敏度也较低.
光敏晶体管的伏安特性光敏晶体管 在光不同照度下的伏安特性曲线，如同普通晶 体晶体管在不同基极电流作用下的输出特性曲 线一样。因此，可以将人射光在发射结上所产生 的光生电流比作基极电流，这样就可将光敏晶 体管看作普通晶体晶体管进行分析了。光敏晶 体管能把光信号转换成电信号，而且输出的电 信号较大。
光敏晶体管的基本结构光敏晶体管多采用N型硅单晶NPN结构，并且在工艺上将 基区面积制作的较大，发射区面积较小.这种特殊结构，能使人射光多数被基区吸收。当光 敏晶体管集电极施加正电压、基区开路时，即集电极工作于反向偏置状态，光照射到基区就 会激发出光生电子空穴对，光生电子被拉到集电区，而空穴则滞留在基区靠近发射结的一边， 使发射结的电压升高，形成输出电流，并且集电区输出电流为光生电流的p倍。这样，光敏 晶体管就完成了光电转换。
光敏晶体管可以制成多种类型的光敏传感器，其输出电路简单，输出电流较大，尤其在 低频光敏传感器电路中广泛应用.
光敏晶体管有一个最佳灵敏度峰值波长。当入射光的波长偏离峰值波长时，光敏晶体管的灵敏度将显著减小。这是因为当人射光的波长较短时，光子在半导体表面就被吸收掉，并且光子 在半导体表面激发出的电子空穴对也不能到达PN结，所以相对灵敏度就较低，而当人射光的 波长较长时，由于光子的能量较小，不足以激发出电子空穴对，所以相对灵敏度也较低.
光敏晶体管的伏安特性光敏晶体管 在光不同照度下的伏安特性曲线，如同普通晶 体晶体管在不同基极电流作用下的输出特性曲 线一样。因此，可以将人射光在发射结上所产生 的光生电流比作基极电流，这样就可将光敏晶 体管看作普通晶体晶体管进行分析了。光敏晶 体管能把光信号转换成电信号，而且输出的电 信号较大。
